Logo LabSensNano
Skip Navigation Links
Intor LabSensNano
 

Experimentální vývoj MOCVD aparatur pro vysokoteplotní růst A(III)B(V) polovodičů a aplikovaný výzkum růstu metal-nitridových epitaxních tenkých vrstev

Označení: TH 02020926 (MOCVD)
Zahájení projektu: 01.01.2017
Ukončení projektu: 31.12.2019

Hlavním cílem projektu je vývoj koncepce pro konstrukci vysokoteplotních MOCVD reaktorů malé a střední velikosti a ověření jejich funkčnosti pro epitaxní růst metal-nitridových vrstev. Reaktor menšího typu bude designován, fluidně-dynamicky modelován a zkonstruován v průběhu prvního roku řešení projektu, v druhém roce bude optimalizován a testován pro růst daných InN, GaN a AlN vrstev a ve třetím roce budou vyvíjeny aplikace s danými materiály (heterostruktury a nanostruktury s kovovými rezonátory pro senzoriku a biomedicínu). V druhém roce řešení projektu bude designován, modelován a konstruován MOCVD reaktor semi-industriálního typu a jeho testování pro růst A(III)B(V) epitaxních vrstev proběhne ve třetím roce.


Logo VUT