Jedná se o planární kapacitor s heterogenní strukturou dielektrika o nominální tloušťce 10 nm. Dielektrikum je tvořeno střídavým vrstvením Al2O3 a HfO2 o tloušťkách ~1 nm, nanesených pomocí depozice atomárních vrstev (ALD). Kapacitory jsou umístěny na křemíkovém substrátu-čipu tvořícím spodní elektrodu. Horní elektroda je tvořena 250 nm napařeného zlata. Tato elektroda je vytvořena metodou Lift-Off. Kapacitory s proměnnou plochou jsou sdruženy na čipu v podobě testovacího pole.
Testovací pole kapacitorů na substrátu, kapacitor v detailu a v řezu struktury (vlevo),TEM snímek dielektrické vrstvy (vpravo).
Velikost čipu: 12 × 12 mm
Velikost kondenzátorů: průměr 200 ÷ 3000 µm
Tloušťka dielektrika: 10 nm
Kapacita: ~1×10-12 F.µm-2
Svodový proud: ~1×10-9 A.cm-2
